S1JL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | S1JL MTG |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 1.8 µs |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | S1J |
S1JL MTG Einzelheiten PDF [English] | S1JL MTG PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
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DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() S1JL MTGTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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