S1JL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | S1JL MHG |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 1.8 µs |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | S1J |
S1JL MHG Einzelheiten PDF [English] | S1JL MHG PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
TSC SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
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DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() S1JL MHGTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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