HS1ML RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
Artikelnummer: | HS1ML RTG |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1A SUB SMA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | HS1M |
HS1ML RTG Einzelheiten PDF [English] | HS1ML RTG PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
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DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT
DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
SAFETY SWITCH PLUG TYPE
75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT
DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS1ML RTGTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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