HS1ML RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS1ML RHG |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1A SUB SMA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | HS1M |
HS1ML RHG Einzelheiten PDF [English] | HS1ML RHG PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT
DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
SAFETY SWITCH PLUG TYPE
DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT
DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
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75NS, 1A, 1000V, HIGH EFFICIENT
DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS1ML RHGTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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