HS1JLW
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS1JLW |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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20000+ | $0.0916 |
40000+ | $0.0857 |
60000+ | $0.0852 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | SOD-123W |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | SOD-123W |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 800V 1A THIN SMA
75NS, 1A, 800V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Interface
75NS, 1A, 800V, HIGH EFFICIENT R
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS1JLWTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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