HER308G R0G
TSC (Taiwan Semiconductor)
Deutsch
Artikelnummer: | HER308G R0G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 3A DO201AD |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3750+ | $0.1615 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Supplier Device-Gehäuse | DO-201AD |
Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75ns |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | DO-201AD, Axial |
Andere Namen | HER308G R0G-ND HER308GR0G |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diodentyp | Standard |
detaillierte Beschreibung | Diode Standard 3A Through Hole DO-201AD |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 1000V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
HER308G R0G Einzelheiten PDF [English] | HER308G R0G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
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50NS, 3A, 400V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 800V 3A DO27
DIODE GEN PURP 3A DO201AD
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HER308G R0GTSC (Taiwan Semiconductor) |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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