HER308G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HER308G B0G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 3A DO201AD |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-201AD |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-201AD, Axial |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | HER308 |
HER308G B0G Einzelheiten PDF [English] | HER308G B0G PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HER308G B0GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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