GPAS1007
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | GPAS1007 |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | 10A, 1000V, STANDARD RECOVERY RE |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1600+ | $0.5198 |
3200+ | $0.4998 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 10 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB (D2PAK) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
Strom - Richt (Io) | 10A |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
GENERIC, 10.00" X 14.00" SIGN (N
GENERIC, 10.00" X 14.00" SIGN (N
GENERIC, 10.00" X 14.00" SIGN (N
GENERIC, 10.00" X 14.00" SIGN (D
10A, 800V, STANDARD RECOVERY REC
10A, 400V, STANDARD RECOVERY REC
DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB
GENERIC, 10.00" X 14.00" SIGN (W
DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB
GENERIC, 10.00" X 14.00" SIGN (N
GENERIC, 10.00" X 14.00" SIGN (N
GENERIC, 14.00" X 20.00" SIGN (N
DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
GENERIC, 7.00" X 10.00" SIGN (WA
GENERIC, 10.00" X 14.00" SIGN (C
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() GPAS1007Taiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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