GPAS1006
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | GPAS1006 |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | 10A, 800V, STANDARD RECOVERY REC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1600+ | $0.5198 |
3200+ | $0.4998 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 10 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB (D2PAK) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 800 V |
Strom - Richt (Io) | 10A |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
GENERIC, 10.00" X 14.00" SIGN (N
GENERIC, 10.00" X 14.00" SIGN (N
DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB
GENERIC, 10.00" X 14.00" SIGN (D
GENERIC, 10.00" X 14.00" SIGN (N
GENERIC, 7.00" X 10.00" SIGN (NO
GENERIC, 10.00" X 14.00" SIGN (N
DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
GENERIC, 7.00" X 10.00" SIGN (DA
10A, 1000V, STANDARD RECOVERY RE
DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 10A TO263AB
10A, 400V, STANDARD RECOVERY REC
GENERIC, 10.00" X 14.00" SIGN (N
GENERIC, 7.00" X 10.00" SIGN (WA
GENERIC, 10.00" X 14.00" SIGN (C
DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB
2024/06/3
2024/06/14
2024/06/28
2024/04/18
GPAS1006Taiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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