ES1JL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | ES1JL MTG |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Grundproduktnummer | ES1J |
ES1JL MTG Einzelheiten PDF [English] | ES1JL MTG PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Interface
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
TSC 10+
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
TSC SOD123
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
ES1JL RQ TAIWAN
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() ES1JL MTGTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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