ES1JL
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | ES1JL |
---|---|
Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor Corporation |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $0.39 |
10+ | $0.318 |
100+ | $0.2163 |
500+ | $0.1622 |
1000+ | $0.1217 |
2000+ | $0.1115 |
5000+ | $0.1048 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | ES1J |
ES1JL Einzelheiten PDF [English] | ES1JL PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
ES1JL RQ TAIWAN
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() ES1JLTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|