STP18NM60ND
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STP18NM60ND |
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Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 13A TO220 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
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Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $4.95 |
10+ | $4.448 |
100+ | $3.6446 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
Serie | FDmesh™ II |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 6.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1030 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Tc) |
Grundproduktnummer | STP18 |
STP18NM60ND Einzelheiten PDF [English] | STP18NM60ND PDF - EN.pdf |
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2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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