STP18N65M5
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
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- Rechteckige Steckverbinder-Gehäuse(28877)
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- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
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STMicroelectronics STP18N65M5
| Artikelnummer: | STP18N65M5 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | ST |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 15A TO220 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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| 10+ | $2.726 |
| 100+ | $2.2336 |
| 500+ | $1.9014 |
| 1000+ | $1.6036 |
| 2000+ | $1.5234 |
| 5000+ | $1.4662 |
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- Versandinformationen
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-
STMicroelectronics STP18N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments STP18N65M5.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220 Serie MDmesh™ V Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 7.5A, 10V Verlustleistung (max) 110W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) Grundproduktnummer STP18 STP18N65M5 Einzelheiten PDF [English] STP18N65M5 PDF - EN.pdf -
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