STD11N60M2-EP
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STD11N60M2-EP |
---|---|
Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
Serie | MDmesh™ M2-EP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 595mOhm @ 3.75A, 10V |
Verlustleistung (max) | 85W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.5A (Tc) |
Grundproduktnummer | STD11 |
STD11N60M2-EP Einzelheiten PDF [English] | STD11N60M2-EP PDF - EN.pdf |
ST TO-252
ST TO-252
DISCRETE
ST TO-252
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
ST TO-252
MOSFET N CH 650V 9A DPAK
ST TO-252
MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() STD11N60M2-EPSTMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|