STD11N60DM2
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | STD11N60DM2 |
---|---|
Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 10A DPAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $1.80 |
10+ | $1.614 |
100+ | $1.2974 |
500+ | $1.0659 |
1000+ | $0.8832 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
Serie | MDmesh™ DM2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 614 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
Grundproduktnummer | STD11 |
STD11N60DM2 Einzelheiten PDF [English] | STD11N60DM2 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
ST TO-252
ST TO-252
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
MOSFET N CH 650V 9A DPAK
ST TO-252
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
DISCRETE
ST TO-252
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() STD11N60DM2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|