BUK9Y19-75B,115
Nexperia USA Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | BUK9Y19-75B,115 |
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Hersteller / Marke: | Nexperia |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK56 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.42 |
10+ | $1.268 |
100+ | $0.9889 |
500+ | $0.8169 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±15V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | LFPAK56, Power-SO8 |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 106W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | SC-100, SOT-669 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3096 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 48.2A (Tc) |
Grundproduktnummer | BUK9Y19 |
BUK9Y19-75B,115 Einzelheiten PDF [English] | BUK9Y19-75B,115 PDF - EN.pdf |
BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
BUK9Y19-55B - N-CHANNEL TRENCHMO
MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56
NXP NA
NXP SOT669
BUK9Y1R9-40H/SOT669/LFPAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
NEXPERIA SOT-669
BUK9Y1R6-40H/SOT669/LFPAK
NXP SOT669
NXP SOT-669
BUK9Y19-75B NXP
NEXPERIA NA
NXP SOT669
NEXPERIA SOT-669
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BUK9Y19-75B,115Nexperia USA Inc. |
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Zielpreis (USD)
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