MXP6KE8.2AE3
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | MXP6KE8.2AE3 |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ) | 7.02V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 12.1V |
Spannung - Aufteilung (min.) | 7.79V |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Art | Zener |
Supplier Device-Gehäuse | T-18 |
Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
Stromleitungsschutz | No |
Power - Peak Pulse | 600W |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | T-18, Axial |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs) | 50A |
Kapazität @ Frequenz | - |
Grundproduktnummer | P6KE8.2 |
Anwendungen | General Purpose |
MXP6KE8.2AE3 Einzelheiten PDF [English] | MXP6KE8.2AE3 PDF - EN.pdf |
TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18
TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18
TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18
TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18
TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18
TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18
TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18
TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18
TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18
TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC T18
TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18
TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18
TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18
TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18
TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18
TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18
TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18
TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC T18
TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18
TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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