JAN1N6161US
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | JAN1N6161US |
---|---|
Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | TVS DIODE 47.1VWM 89.57V SQ-MELF |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
100+ | $19.50 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ) | 47.1V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 89.57V |
Spannung - Aufteilung (min.) | 55.96V |
Art | Zener |
Supplier Device-Gehäuse | C, SQ-MELF |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
Stromleitungsschutz | No |
Power - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Verpackung / Gehäuse | SQ-MELF, C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs) | 16.72A |
Kapazität @ Frequenz | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Grundproduktnummer | 1N6161 |
Anwendungen | General Purpose |
JAN1N6161US Einzelheiten PDF [English] | JAN1N6161US PDF - EN.pdf |
TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG
TVS DIODE 56VWM 103.1VC C AXIAL
TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG
TVS DIODE 51.7VWM 97.1VC CPKG
TVS DIODE 56VWM 108.26VC C AXIAL
TVS DIODE 51.7VWM 97.1VC C AXIAL
TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC CPKG
TVS DIODE 42.6VWM 77VC C SQ-MELF
TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG
TVS DIODE 51.7VWM 97.1VC SQ-MELF
TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC C AXIAL
TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC AXIAL
TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG
TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG
TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG
TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC AXIAL
TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG
TVS DIODE 42.6VWM 80.85V SQ-MELF
TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC SQ-MELF
TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC MELF
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() JAN1N6161USMicrochip Technology |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|