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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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Microchip Technology APTM50DHM38G
| Artikelnummer: | APTM50DHM38G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 6+ | $212.36 |
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Microchip Technology APTM50DHM38G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments APTM50DHM38G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SP6 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 45A, 10V Leistung - max 694W Verpackung / Gehäuse SP6 Paket Bulk Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11200pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 246nC @ 10V FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Grundproduktnummer APTM50 APTM50DHM38G Einzelheiten PDF [English] APTM50DHM38G PDF - EN.pdf -
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