APTM50DHM65T3G
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Microsemi Corporation APTM50DHM65T3G
| Artikelnummer: | APTM50DHM65T3G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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Microsemi Corporation APTM50DHM65T3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments APTM50DHM65T3G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SP3 Serie POWER MOS 8™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 42A, 10V Leistung - max 390W Verpackung / Gehäuse SP3 Paket Bulk Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10800pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 51A Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Grundproduktnummer APTM50 APTM50DHM65T3G Einzelheiten PDF [English] APTM50DHM65T3G PDF - EN.pdf -
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