APT11N80KC3G
Microsemi Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | APT11N80KC3G |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 11A TO220 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220 [K] |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.1A, 10V |
Verlustleistung (max) | 156W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1585 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
APT11N80KC3G Einzelheiten PDF [English] | APT11N80KC3G PDF - EN.pdf |
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