APT11N80BC3G
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | APT11N80BC3G |
---|---|
Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 11A TO247 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $4.47 |
100+ | $3.8836 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247 [B] |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.1A, 10V |
Verlustleistung (max) | 156W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1585 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
Grundproduktnummer | APT11N80 |
APT11N80BC3G Einzelheiten PDF [English] | APT11N80BC3G PDF - EN.pdf |
IGBT 1200V 25A 156W TO220
APT1201R2BLL APT
APT11GF120KR APT
APT TO-247
APT New
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
APT11GP60BDQG APT
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
MOSFET N-CH 1200V 9A TO247
APT11M120B APT
MOSFET N-CH 1200V 9A TO247
IGBT 600V 41A 187W TO247
APT11N80BC3 APT
APT1201R4B APT
IGBT 1200V 25A 156W TO247
MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
APT1201R4BFLL APT
APT New
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
APT11GF120BRDQ1 APT
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() APT11N80BC3GMicrochip Technology |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|