IGP03N120H2XKSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IGP03N120H2XKSA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
Testbedingung | 800V, 3A, 82Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 9.2ns/281ns |
Schaltenergie | 290µJ |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3-1 |
Serie | - |
Leistung - max | 62.5 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 22 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 9.9 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 9.6 A |
IGP03N120H2XKSA1 Einzelheiten PDF [English] | IGP03N120H2XKSA1 PDF - EN.pdf |
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INFINEON TO-220
IGP01N120 - DISCRETE IGBT WITHOU
IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IGP03N120H2XKSA1Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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