BSC080N03MSGATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSC080N03MSGATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.87 |
10+ | $0.763 |
100+ | $0.5847 |
500+ | $0.4622 |
1000+ | $0.3698 |
2000+ | $0.3351 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-5 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 35W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Ta), 53A (Tc) |
Grundproduktnummer | BSC080 |
BSC080N03MSGATMA1 Einzelheiten PDF [English] | BSC080N03MSGATMA1 PDF - EN.pdf |
BSC080P03LS G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A/53A TDSON
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
INFINEON DFN-85X6
MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8
MOSFET N-CH 100V 79A TDSON-8-6
INFINEON DFN-856
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BSC080N03MSGATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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