BSC080N03MSG
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | - |
Vgs (Max) | - |
Technologie | - |
Supplier Device-Gehäuse | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Verlustleistung (max) | - |
Verpackung / Gehäuse | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Typ FET | - |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - |
BSC080N03MSG Einzelheiten PDF [English] | BSC080N03MSG PDF - EN.pdf |
INFINEON DFN-856
MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8
MOSFET N-CH 100V 79A TDSON-8-6
MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
INFINEON DFN-85X6
BSC080P03LS G Infineon Technologies
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
MOSFET N-CH 30V 14A/53A TDSON
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BSC080N03MSGInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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