HUF76113DK8T
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
592+ | $0.51 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | US8 |
Serie | UltraFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6A, 10V |
Leistung - max | 2.5W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width) |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 605pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.2nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Ta) |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | HUF76113 |
HUF76113DK8T Einzelheiten PDF [English] | HUF76113DK8T PDF - EN.pdf |
4.7 A, 30 V, 0.031 OHM, N-CHANNE
N-CHANNEL POWER MOSFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
F SOT-252
N-CHANNEL POWER MOSFET
INTERSI SOP8
FAIRCHILD TO-252
HUF76113DK8 INFINEON
FAIRCHI SOP8
HUF76113 FAILDCHIL
FAIRCHILD TO-252
HUF76112SK8 INTERSIL
N-CHANNEL POWER MOSFET
HARRIS TO252
INTERSI TO-220
N-CHANNEL POWER MOSFET
HUF76113D HARRIS
N-CHANNEL POWER MOSFET
FAIRCHILD TO-252
N-CHANNEL POWER MOSFET
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HUF76113DK8TFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|