HUF76121P3
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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701+ | $0.43 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | UltraFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 47A, 10V |
Verlustleistung (max) | 75W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 47A (Tc) |
HUF76121P3 Einzelheiten PDF [English] | HUF76121P3 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HUF76121P3Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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