H5N2307LSTL-E
Renesas Electronics America Inc
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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89+ | $3.38 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | - |
Vgs (Max) | - |
Technologie | - |
Supplier Device-Gehäuse | - |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Verlustleistung (max) | - |
Verpackung / Gehäuse | - |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Typ FET | - |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - |
H5N2307LSTL-E Einzelheiten PDF [English] | H5N2307LSTL-E PDF - EN.pdf |
H5N2503P HITACHI
HITACHI TO-3P
RENESAS TO-3PF
RENESAS TO-252
25A, 200V, 0.047OHM, N CHANNEL M
H5N2509P RENESAS
FET TO252
TO3P
HIT TO-3P
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
H5N2508DSTL-E RENESAS
RENESAS TO-3P
H5N2508DSTL RENESAS
RENESAS TO252
HIT TO-3P
H5N2509P-E RENESAS
H5N2505DSTL RENESAS
N-CHANNEL POWER MOSFET
2024/12/17
2024/06/27
2024/05/23
2024/06/25
H5N2307LSTL-ERenesas Electronics America Inc |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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