Name: Fairchild/ON Semiconductor FQB7N80TM_AM002
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: FQB7N80TM_AM002
Availability: InStock
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Fairchild/ON Semiconductor FQB7N80TM_AM002

Artikelnummer:

FQB7N80TM_AM002

Hersteller / Marke:

Fairchild (onsemi)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK

Datenblätte:

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FQB7N80, FQI7N80.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Fairchild/ON Semiconductor FQB7N80TM_AM002 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQB7N80TM_AM002.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263AB)
Serie	QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 3.3A, 10V
Verlustleistung (max)	3.13W (Ta), 167W (Tc)
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.6A (Tc)
FQB7N80TM_AM002 Einzelheiten PDF [English]	FQB7N80TM_AM002 PDF - EN.pdf

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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