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onsemi HGT1S20N60C3S9A
| Artikelnummer: | HGT1S20N60C3S9A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 45A TO263AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi HGT1S20N60C3S9A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments HGT1S20N60C3S9A.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 20A Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 28ns/151ns Schaltenergie 295µJ (on), 500µJ (off) Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) Serie - Leistung - max 164 W Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Eingabetyp Standard IGBT-Typ - Gate-Ladung 91 nC Strom - Collector Pulsed (Icm) 300 A Strom - Kollektor (Ic) (max) 45 A Grundproduktnummer HGT1S20 HGT1S20N60C3S9A Einzelheiten PDF [English] HGT1S20N60C3S9A PDF - EN.pdf -
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