SI1926DL-T1-BE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $0.41 |
10+ | $0.354 |
100+ | $0.2646 |
500+ | $0.2079 |
1000+ | $0.1607 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SC-70-6 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 340mA, 10V |
Leistung - max | 300mW (Ta), 510mW (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 18.5pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 340mA (Ta), 370mA (Tc) |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SI1926 |
VISHAY SC70-6
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
SI1917EDH-T1-GE3 VISHAY
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
SI19190CT64 SILICON
SI1926A VISHAY
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
VISHAY SOT363
MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
VISHAY SOT-363
MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
SILICON QFP64
SILICON QFN
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI1926DL-T1-BE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|