IRF244
Harris Corporation
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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94+ | $3.20 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-204AA, TO-3 |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.8A (Tc) |
FIXED IND 100UH 165MA 3.7 OHM TH
FIXED IND 1.2UH 740MA 180MOHM TH
FIXED IND 120UH 160MA 3.8 OHM TH
FIXED IND 12UH 350MA 800 MOHM TH
FIXED IND 10UH 370MA 720 MOHM TH
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
FIXED IND 1UH 815MA 180 MOHM TH
FIXED IND 1MH 60MA 30 OHM TH
MOSFET N-CH 200V 16A TO3
FIXED IND 15UH 335MA 880 MOHM TH
FIXED IND 150UH 150MA 4.9 OHM TH
IRF23N20DPBF IR
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRF244Harris Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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