IPB035N08N3GATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $4.19 |
10+ | $3.766 |
100+ | $3.0855 |
500+ | $2.6266 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 155µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 100A, 10V |
Verlustleistung (max) | 214W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8110 pF @ 40 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPB035 |
INF TO-263
INFINEON TO-263-7L
INFINEON TO-263
INF TO-263
IPB036N12N3G INFINEON
IPB037N06N3 G Infineon Technologies
IPB037N06N3G I
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
TRENCH 40<-<100V
IPB035N08N3G VB
MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
2024/05/14
2024/03/19
2024/04/13
2024/01/30
IPB035N08N3GATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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