AS4C8M16S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | AS4C8M16S-6BIN |
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Hersteller / Marke: | Alliance Memory, Inc. |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 2ns |
Spannungsversorgung | 3V ~ 3.6V |
Technologie | SDRAM |
Supplier Device-Gehäuse | 54-TFBGA (8x8) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 54-TFBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 128Mbit |
Speicherorganisation | 8M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 166 MHz |
Grundproduktnummer | AS4C8M16 |
Zugriffszeit | 5 ns |
AS4C8M16S-6BIN Einzelheiten PDF [English] | AS4C8M16S-6BIN PDF - EN.pdf |
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54FBGA
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54FBGA
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() AS4C8M16S-6BINAlliance Memory, Inc. |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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