SIHFL9110TR-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SIHFL9110TR-GE3 |
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Hersteller / Marke: | VPG Sensors |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.60 |
10+ | $0.527 |
100+ | $0.4038 |
500+ | $0.3192 |
1000+ | $0.2554 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-223 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 660mA, 10V |
Verlustleistung (max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.1A (Tc) |
Grundproduktnummer | SIHFL9110 |
SIHFL9110TR-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIHFL9110TR-GE3 PDF - EN.pdf |
POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
SIHFL9110T-E3 V
POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @
SiHFR014 Vishay
VISH SOT-223
VISHAY SOT-223
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
VISHAY SOT-223
POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
SIHFL9014T-E3 V
IR SOT-223
SIHFR010 V
POWER MOSFET SUPER-247, 150 M @
MOSFET N-CH 500V SUPER-247
VISHAY SOT-223
SIHFR014-E3 V
VISHAY SOT-223
SiHFR010-E3 QQ2850920
VISHAY SOT-223
VISHAY SOT-223
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIHFL9110TR-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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