Name: Microsemi Corporation 1N6625E3
Brand: Microsemi Corporation
SKU: 1N6625E3
Price: 15.042 USD
Availability: InStock
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Microsemi Corporation 1N6625E3

Artikelnummer:

1N6625E3

Hersteller / Marke:

Microsemi

Teil der Beschreibung.:

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Datenblätte:

None

RoHs Status:

Lead free / RoHs compliant

ECAD -Modell:

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$15.042

Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Microsemi Corporation 1N6625E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments 1N6625E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1A
Spannung - Durchschlag	A, Axial
Serie	-
RoHS Status	Bulk
Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	-
Polarisation	A, Axial
Betriebstemperatur - Anschluss	80ns
Befestigungsart	Through Hole

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	1N6625E3
Expanded Beschreibung	Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial
Diodenkonfiguration	1µA @ 1000V
Beschreibung	DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1.95V @ 1.5A
Strom - Richt (Io) (pro Diode)	1100V (1.1kV)
Kapazität @ Vr, F	-65°C ~ 150°C
1N6625E3 Einzelheiten PDF [English]	1N6625E3 PDF - EN.pdf

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- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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