SQ2301ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SQ2301ES-T1_GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.53 |
10+ | $0.458 |
100+ | $0.3416 |
500+ | $0.2684 |
1000+ | $0.2074 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-236 (SOT-23) |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 3W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TA) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.9A (Tc) |
Grundproduktnummer | SQ2301 |
SQ2301ES-T1_GE3 Einzelheiten PDF [English] | SQ2301ES-T1_GE3 PDF - EN.pdf |
BIT POWER SQUARE #2 1"
VISHAY SOT23
RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
BOX 04102006 MOD TO EKD21020301
VISHAY SOT-23
MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
PNL ANT SQUINT OMNI N MALE
VISHAY SOT23
MOSFET P-CHAN 30V SOT23
BIT POWER SQUARE #2 1"
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SQ2301ES-T1_GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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