SIR770DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SIR770DP-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.18 |
10+ | $1.053 |
100+ | $0.8211 |
500+ | $0.6783 |
1000+ | $0.5355 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8A, 10V |
Leistung - max | 17.8W |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SIR770 |
SIR770DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIR770DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V
MOSFET N-CH 30V
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
VISHAY QFN
MOSFET N-CH 250V 24.2A SO-8
VISHAY PowerPAKSO-8
MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
MOSFET N-CH 125V 60A POWERPAKSO
INTERFACE RELAY, SPDT, 6A
MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIR770DP-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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