Name: Vishay Siliconix SIHH21N65E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHH21N65E-T1-GE3
Price: 3.3167 USD
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SIHH21N65E-T1-GE3

Artikelnummer:

SIHH21N65E-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 650V 20.3A PPAK 8X8

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Spezifikationen
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~~Vishay Siliconix SIHH21N65E-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIHH21N65E-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® 8 x 8
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)	156W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2404 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	99 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20.3A (Tc)
Grundproduktnummer	SIHH21
SIHH21N65E-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SIHH21N65E-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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