Name: Vishay Siliconix SIHH11N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHH11N60E-T1-GE3
Price: 1.5753 USD
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SIHH11N60E-T1-GE3

Artikelnummer:

SIHH11N60E-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8

Datenblätte:

1.SIHH11N60E-T1-G.pdf ···: 2D -Zeichnungen
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$1.5753

Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SIHH11N60E-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIHH11N60E-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® 8 x 8
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	339mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)	114W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1076 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11A (Tc)
Grundproduktnummer	SIHH11
SIHH11N60E-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SIHH11N60E-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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