SIA439EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SIA439EDJ-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SC-70-6 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 5A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SC-70-6 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2410 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 8 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 28A (Tc) |
Grundproduktnummer | SIA439 |
SIA439EDJ-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIA439EDJ-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6
MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L
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MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
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VISHAY DFN
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIA439EDJ-T1-GE3Vishay Siliconix |
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Zielpreis (USD)
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