Name: Vishay Siliconix SI8809EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8809EDB-T2-E1
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI8809EDB-T2-E1

Artikelnummer:

SI8809EDB-T2-E1

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

Datenblätte:

1.SI8809EDB-T2-E1.pdf ···: Umweltinformationen
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Datenblätter
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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI8809EDB-T2-E1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI8809EDB-T2-E1.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	4-Microfoot
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)	500mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	4-XFBGA
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 8 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.94 (Ta)
Grundproduktnummer	SI8809
SI8809EDB-T2-E1 Einzelheiten PDF [English]	SI8809EDB-T2-E1 PDF - EN.pdf

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