SI7913DN-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI7913DN-T1-E3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $1.64 |
10+ | $1.475 |
100+ | $1.1853 |
500+ | $0.9739 |
1000+ | $0.8069 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 7.4A, 4.5V |
Leistung - max | 1.3W |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5A |
Konfiguration | 2 P-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SI7913 |
SI7913DN-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI7913DN-T1-E3 PDF - EN.pdf |
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
VISHAY QFN
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
VISHAY PowerPAK1212-8
VISHAY QFN
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
VISHAY QFN-8
VISHAY QFN
VISHAY QFN8
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
SI7911DN VISHAY
SI7911DN-T1-GE3 QFN8 VISHAY
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
VISHAY QFN3.3X3.3
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI7913DN-T1-E3Vishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|