Name: Vishay Siliconix SI7196DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7196DP-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI7196DP-T1-GE3

Artikelnummer:

SI7196DP-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8

Datenblätte:

1.SI7196DP-T1-GE3.pdf ···: PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-0392016 16/Dec/2016.pdf

Datenblätter
SI7196DP.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI7196DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI7196DP-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® SO-8
Serie	WFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)	5W (Ta), 41.6W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® SO-8
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1577 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	16A (Tc)
Grundproduktnummer	SI7196
SI7196DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI7196DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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