Name: Vishay Siliconix SI4866BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4866BDY-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI4866BDY-T1-E3

Artikelnummer:

SI4866BDY-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO

Datenblätte:

1.SI4866BDY-T1-E3.pdf ···: PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf

Datenblätter
SI4866BDY.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI4866BDY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI4866BDY-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.3mOhm @ 12A, 4.5V
Verlustleistung (max)	4.45W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5020 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	21.5A (Tc)
Grundproduktnummer	SI4866
SI4866BDY-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI4866BDY-T1-E3 PDF - EN.pdf

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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