Name: Vishay Siliconix SI4670DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4670DY-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI4670DY-T1-E3

Artikelnummer:

SI4670DY-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI4670DY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI4670DY-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 7A, 10V
Leistung - max	2.8W
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	680pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	SI4670
SI4670DY-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI4670DY-T1-E3 PDF - EN.pdf

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