Name: Vishay Siliconix SI3467DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3467DV-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI3467DV-T1-E3

Artikelnummer:

SI3467DV-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 20V 3.8A 6TSOP

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI3467DV-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI3467DV-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	6-TSOP
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	54mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)	1.14W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.8A (Ta)
Grundproduktnummer	SI3467
SI3467DV-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI3467DV-T1-E3 PDF - EN.pdf

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