Name: Vishay Siliconix SI1988DH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1988DH-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI1988DH-T1-GE3

Artikelnummer:

SI1988DH-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6

Datenblätte:

1.SI1988DH-T1-GE3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Material Compliance.pdf PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf SI1988DH.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI1988DH-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI1988DH-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SC-70-6
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	168mOhm @ 1.4A, 4.5V
Leistung - max	1.25W
Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	110pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.1nC @ 8V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.3A
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	SI1988
SI1988DH-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI1988DH-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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