SI1046X-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI1046X-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V SC89-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SC-89-3 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 606mA, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 250mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SC-89, SOT-490 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 66 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.49 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 606mA ( Ta) |
Grundproduktnummer | SI1046 |
SI1046X-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI1046X-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
MOSFET N-CH 20V SC75A
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Si1046X-T1-E3 VISHAY
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
MOSFET N-CH 20V SC75A
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI1046X-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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