Name: Vishay Siliconix SI1039X-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1039X-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI1039X-T1-GE3

Artikelnummer:

SI1039X-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 12V 870MA SC89-6

Datenblätte:

1.SI1039X-T1-GE3.pdf ···: PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI1039X-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI1039X-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SC-89 (SOT-563F)
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165mOhm @ 870mA, 4.5V
Verlustleistung (max)	170mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 4.5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	870mA (Ta)
Grundproduktnummer	SI1039
SI1039X-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI1039X-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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